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Rohm Semiconductor RRH090P03GZETB
| Artikelnummer: | RRH090P03GZETB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.60 |
| 10+ | $1.431 |
| 100+ | $1.1157 |
| 500+ | $0.9217 |
| 1000+ | $0.7277 |
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Rohm Semiconductor RRH090P03GZETB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RRH090P03GZETB.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SOP Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.4mOhm @ 9A, 10V Verlustleistung (max) 650mW (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta) Grundproduktnummer RRH090 -
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